產(chǎn)品說明、技術(shù)參數(shù)及配置

性能特點(diǎn)

直讀光譜儀OES8000s采用CMOS檢測(cè)器全譜測(cè)試技術(shù),可測(cè)試覆蓋波長(zhǎng)范圍內(nèi)的所有譜線，配置和補(bǔ)充測(cè)試基體、通道、分析程序極為方便。儀器體積小巧，方便維護(hù)和實(shí)驗(yàn)室放置。OES8000s是測(cè)試鋼鐵和有色金屬材料元素的通用型儀器，可以滿足包括：Fe基體、Cu基體、Al基體、Ti基體、Pb基體、

Mg基體、Co基體等基體要求，是金屬元素分析的較優(yōu)選擇。

全譜分析技術(shù)，方便配置更多基體和元素，方便在用戶現(xiàn)場(chǎng)補(bǔ)充配置

儀器體積小巧，對(duì)實(shí)驗(yàn)室空間要求低

工作時(shí)間長(zhǎng)，具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和可靠性

樣品測(cè)試速度快，單次測(cè)試過程少于40秒

儀器使用和維護(hù)簡(jiǎn)單、方便，對(duì)人員專業(yè)要求低

原廠安裝分析程序，測(cè)試數(shù)據(jù)準(zhǔn)確，適用合金牌號(hào)齊全

配置標(biāo)準(zhǔn)化樣品可對(duì)儀器進(jìn)行周期性校正

不使用化學(xué)試劑，測(cè)試過程安全、環(huán)保

技術(shù)優(yōu)勢(shì)

天瑞直讀光譜儀OES8000s廣泛應(yīng)用于鋼鐵及有色金屬產(chǎn)品元素分析，快速、準(zhǔn)確、穩(wěn)定、可靠測(cè)試幾十種元素，滿足工業(yè)研發(fā)、工藝控制、進(jìn)料檢驗(yàn)、產(chǎn)品分選多方面檢驗(yàn)需求，是生產(chǎn)金屬產(chǎn)品的設(shè)備。

全譜檢測(cè)測(cè)試各種金屬和元素

基于CMOS檢測(cè)器全譜測(cè)試技術(shù)，測(cè)試各種金屬中元素的譜線，方便實(shí)現(xiàn)多基體、多元素的測(cè)試。

配置和補(bǔ)充測(cè)試基體、通道、分析程序極為方便，方便交貨后在客戶處補(bǔ)充測(cè)試元素、分析程序。

國(guó)際頂級(jí)供應(yīng)商提供核心部件

光譜色散元件——光柵由德國(guó)Zeiss/法國(guó)JY公司制造，保證優(yōu)異的光譜分辨能力

光譜檢測(cè)器——CMOS探測(cè)器由日本濱松制造，確保譜線檢測(cè)靈敏、低噪聲

光室恒溫系統(tǒng)

光室恒溫腔體內(nèi)配置反饋式加熱裝置和隔溫層，有效保證光室內(nèi)恒溫。

由此抑制溫度變化下機(jī)械件尺寸微弱變化導(dǎo)致的光路漂移。除特殊維護(hù)，平時(shí)保養(yǎng)一般不需進(jìn)行描跡。

同時(shí)檢測(cè)器工作在恒溫環(huán)境有助于光電轉(zhuǎn)換性能的穩(wěn)定。

快速同時(shí)分析鋼鐵、有色金屬材料中多種元素

將已預(yù)處理樣品置于樣品臺(tái)后，OES8000s可在至多40秒內(nèi)呈現(xiàn)測(cè)試結(jié)果。

可根據(jù)客戶需求，測(cè)試幾乎所有鋼鐵、有色金屬材料中常見元素含量。

專業(yè)的測(cè)試方案

長(zhǎng)期測(cè)試技術(shù)服務(wù)的積淀，天瑞儀器為鋼鐵、有色金屬材料分析用戶提供成熟的測(cè)試方案。

測(cè)試方案采用針對(duì)材料元素含量分類的分析程序，滿足用戶各類常見測(cè)試需求。

分析程序由原廠采用國(guó)際、國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)樣品校準(zhǔn)，經(jīng)專業(yè)儀器軟件擬合、校正。

用戶只需采用原廠配置少量標(biāo)準(zhǔn)化樣品即可完成日常維護(hù)，不需購買大量制作分析程序的標(biāo)準(zhǔn)樣品。

工作條件

工作溫度：15-30℃

相對(duì)濕度：≤70%

電    源：220±5V，單相50Hz，接地電阻＜1Ω

實(shí)驗(yàn)室無震動(dòng)、粉塵、強(qiáng)電磁干擾、強(qiáng)氣流、腐蝕性氣體

技術(shù)性能及指標(biāo)

1.   分光室設(shè)計(jì)

  帕邢-龍格結(jié)構(gòu),羅蘭圓直徑400mm

  波長(zhǎng)范圍140 – 680nm

  像素分辨率10pm

  恒溫33℃±0.2℃

  特殊材質(zhì)鑄造，保證光室形變小

  間歇式真空系統(tǒng)，可保證真空泵運(yùn)行時(shí)間小于5%

2.   凹面光柵

  刻線密度3600l/mm

  光譜線色散率：1.04 nm/mm

3.   檢測(cè)器

  高性能線陣CMOS

4.   分析時(shí)間

  依樣品種類而不同，一般少于40秒

5.   激發(fā)光源

  全數(shù)字等離子火花光源技術(shù)

  高能預(yù)燃技術(shù) (HEPS)

  頻率100-1000Hz

  電流1-80A

6.   激發(fā)臺(tái)

  3mm樣品臺(tái)分析間隙

  噴射電極技術(shù)

  特殊設(shè)計(jì)的氣路系統(tǒng)，保證低氬氣消耗

7.   尺寸和重量

  高450mm 長(zhǎng)900mm 寬600 mm

  120 kg

8.   功率

  大功率1500W

  待機(jī)功率70W